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化学气相沉积(CVD)材料生长设备的配气气路装置

2020-03-26 14:54:06        0

化学气相淀积方法是半导体研究界和产业界中应用最为广泛的用于制备薄膜材 料的常用方法之一,可制备的薄膜材料包括大多数半导体薄膜、介质薄膜、金属及合 金薄膜。
随着半导体器件性能的提高,对于材料的质量要求也随之提高。


对于CVD材料 生长设备来说,要获得高质量的材料,首先必须保证作为反应物的气源由源区至反应 区的输运及控制过程中的纯度,即保证整个配气气路的气密性。目前,CVD材料生 长设备的配气气路一般采用卡套式管接头或VCR接头来实现输气管道、控制元件之 间的密封连接。

VCR插头封好性性十分好,装拆换简约便于,但价值较贵。为消减实验室及研发财务费用, 常按照卡套式管插头确保气路的封好相连接。卡套式管插头享有结构类型简约、含量轻、体 积小、使用的简约便于、要用激光焊接,有时享有积极的击穿电压性、耐产生振动性、耐熱性及正规的密 封性,价值远高出VCR插头。


按照卡套式管线插头开展气路接入,代价较低的同一时间又 能要确保接入处的密封性性,但安转时就须要从所有气路的那端就开始逐一安转到另那端, 调整的那端线插头体后导入时长适于的轻金属管并调整的卡套,再安转另那中端卡套及线插头体 并调整的线插头体和卡套;需求清洗或拆除时也须要从所有气路的某那端丌始拆除到需求 抢修或替代的部分 。


这就给配气安装的气路运营维护带动了相当大的麻烦,十分是当气 路中的某段个调节构件可以删除时,就必定从气路的左端刚刚开始到可以删除的结构件为 止,将其的气路地埋管和调节构件任何从左到右拆下来。


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